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Prise en compte de l'anisotropie des collisions ion-atome sur le transport des ions par simulation de Monte-Carlo 用蒙特卡罗模拟考虑离子-原子碰撞对离子输运的各向异性
Journal De Physique Iii Pub Date : 1997-09-01 DOI: 10.1051/JP3:1997229
A. Hennad, O. Eichwald, M. Yousfi, O. Lamrous
{"title":"Prise en compte de l'anisotropie des collisions ion-atome sur le transport des ions par simulation de Monte-Carlo","authors":"A. Hennad, O. Eichwald, M. Yousfi, O. Lamrous","doi":"10.1051/JP3:1997229","DOIUrl":"https://doi.org/10.1051/JP3:1997229","url":null,"abstract":"Cet article est consacre a la determination des sections efficaces differentielles et integrales ion-atome necessaires au calcul des coefficients de transport des ions dans les gaz faiblement ionises. Dans le cas du systeme Ar + /Ar et pour des intervalles d'energie allant jusqu'a quelques dizaines d'eV, les sections efficaces sont obtenues a partir des potentiels d'interaction de polarisation pour les faibles energies et de Lennard-Jones pour les energies plus elevees. La methode de calcul des sections efficaces basee sur la mecanique classique a d'abord ete validee par comparaison des sections efficaces differentielles mesurees et calculees. Ensuite, ces sections efficaces ont ete utilisees dans un code de simulation statistique de Monte-Carlo du transport des ions Ar + dans l'Argon a la temperature ambiante (300 K). Les coefficients de transport (vitesse de derive, mobilite ionique et coefficient de diffusion) obtenus sont en bon accord avec les mesures de tube de derive de la litterature confirmant ainsi la validation de la methode de determination des sections efficaces.","PeriodicalId":237595,"journal":{"name":"Journal De Physique Iii","volume":"106 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1997-09-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132318789","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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Le transistor VDMOS en régime de quasi-saturation : étude analytique et modélisation 近饱和状态下的VDMOS晶体管:分析研究和建模
Journal De Physique Iii Pub Date : 1997-09-01 DOI: 10.1051/JP3:1997227
A. Bliek, J. Guérin, M. Cheikh, M. Tholomier
{"title":"Le transistor VDMOS en régime de quasi-saturation : étude analytique et modélisation","authors":"A. Bliek, J. Guérin, M. Cheikh, M. Tholomier","doi":"10.1051/JP3:1997227","DOIUrl":"https://doi.org/10.1051/JP3:1997227","url":null,"abstract":"La quasi-saturation dans les transistors de puissance (VDMOS) se manifeste aux tensions de grille superieures a la tension nominale, la limitation du courant associe est liee a la saturation de vitesse des electrons dans la couche N - du composant. Le phenomene a ete mis en evidence de facon experimentale et les resultats obtenus ont ete interpretes par une modelisation fine de la cellule MOS. Cette simulation numerique a ete realisee a l'aide du logiciel DAVINCI en utilisant des modeles de mobilite appropries. Une approche physique de la quasi-saturation a ensuite permis l'elaboration d'un modele analytique complet et d'une expression generale du reseau de caracteristiques I d (V ds , V gs ).","PeriodicalId":237595,"journal":{"name":"Journal De Physique Iii","volume":"5 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1997-09-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126604756","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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Modélisation 3D des perturbations géomagnétiques induites. Validation du modèle éléments finis 地磁扰动的三维建模。有限元模型验证
Journal De Physique Iii Pub Date : 1997-09-01 DOI: 10.1051/JP3:1997225
J. Vatry, J. Berthier, P. Massé, R. Blanpain
{"title":"Modélisation 3D des perturbations géomagnétiques induites. Validation du modèle éléments finis","authors":"J. Vatry, J. Berthier, P. Massé, R. Blanpain","doi":"10.1051/JP3:1997225","DOIUrl":"https://doi.org/10.1051/JP3:1997225","url":null,"abstract":"L'environnement magnetique tres basse frequence des zones cotieres resulte d'influences multiples. Entre autres, les phenomenes d'induction electromagnetique, fortement tridimensionnels, sont provoques par les variations temporelles du champ magnetique terrestre. Nous proposons une methode de resolution avec des elements finis nodaux en formulation quadrivecteur complexe pour des geometries tridimensionnelles, en utilisant le logiciel generateur Flux Expert. La premiere etape de validation de notre modele est effectuee par comparaison avec d'autres methodes pour des geometries simples de reference.","PeriodicalId":237595,"journal":{"name":"Journal De Physique Iii","volume":"23 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1997-09-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132263234","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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Hydrodynamic and Chemical Modeling of a Chemical Vapor Deposition Reactor for Zirconia Deposition 氧化锆化学气相沉积反应器的流体动力学和化学建模
Journal De Physique Iii Pub Date : 1997-09-01 DOI: 10.1051/JP3:1997222
T. Belmonte, J. Gavillet, T. Czerwiec, D. Ablitzer, H. Michel
{"title":"Hydrodynamic and Chemical Modeling of a Chemical Vapor Deposition Reactor for Zirconia Deposition","authors":"T. Belmonte, J. Gavillet, T. Czerwiec, D. Ablitzer, H. Michel","doi":"10.1051/JP3:1997222","DOIUrl":"https://doi.org/10.1051/JP3:1997222","url":null,"abstract":"Zirconia is deposited on cylindrical substrates by flowing post-discharge enhanced chemical vapor deposition. In this paper, a two dimensional hydrodynamic and chemical modeling of the reactor is described for given plasma characteristics. It helps in determining rate constants of the synthesis reaction of zirconia in gas phase and on the substrate which is ZrCl 4 hydrolysis. Calculated deposition rate profiles are obtained by modeling under various conditions and fits with a satisfying accuracy the experimental results. The role of transport processes and the mixing conditions of excited gases with remaining ones are studied. Gas phase reaction influence on the growth rate is also discussed.","PeriodicalId":237595,"journal":{"name":"Journal De Physique Iii","volume":"38 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1997-09-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"117148413","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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Étude par microscopie acoustique de couches minces de Ag2S déposées par spray 喷雾沉积Ag2S薄膜的声学显微镜研究
Journal De Physique Iii Pub Date : 1997-09-01 DOI: 10.1051/JP3:1997210
M. Amlouk, N. Brunet, B. Cros, S. Belgacem, D. Barjon
{"title":"Étude par microscopie acoustique de couches minces de Ag2S déposées par spray","authors":"M. Amlouk, N. Brunet, B. Cros, S. Belgacem, D. Barjon","doi":"10.1051/JP3:1997210","DOIUrl":"https://doi.org/10.1051/JP3:1997210","url":null,"abstract":"Des couches minces de sulfure d'argent Ag 2 S sont preparees sur substrat de pyrex, a la temperature de 250°C, par la technique de pulverisation chimique reactive en phase liquide ou spray'. Ces depots, d'epaisseur variable (0,4-2 μm), sont analyses par microscopie acoustique et, plus particulierement, par la methode de releve de la signature acoustique V(z). Cette signature, effectuee a differentes frequences (50, 130, 570 MHz), a permis de caracteriser les proprietes elastiques du materiau Ag 2 S. La valeur du module d'Young, de l'ordre de 180 GPa, est en accord avec la faible cohesion de la liaison Ag-S et le caractere de conducteur ionique rapide de Ag 2 S. Les observations par MEB et AFM permettent d'expliquer l'allure des courbes V(z) par les defauts de compacite lies a la methode de preparation. Les resultats experimentaux sont discutes en liaison avec la courbe de dispersion de vitesses du premier mode du systeme Ag 2 S/pyrex.","PeriodicalId":237595,"journal":{"name":"Journal De Physique Iii","volume":"168 ","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1997-09-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"120872116","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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Convertisseur de reequilibrage de la tension d'un reseau 电网电压再平衡转换器
Journal De Physique Iii Pub Date : 1997-08-01 DOI: 10.1051/JP3:1997217
Frédéric Richardeau, Noureddine Aouda, T. Meynard
{"title":"Convertisseur de reequilibrage de la tension d'un reseau","authors":"Frédéric Richardeau, Noureddine Aouda, T. Meynard","doi":"10.1051/JP3:1997217","DOIUrl":"https://doi.org/10.1051/JP3:1997217","url":null,"abstract":"Cet article traite du dimensionnement, du pilotage et de la simulation d'un convertisseur statique de reequilibrage dynamique de la tension d'un reseau de distribution. Les sources de desequilibre sont identifiees et les structures statiques de reequilibrage sont decrites. Le principe du reequilibrage consiste en une compensation des systemes inverse et homopolaire de courants au moyen d'un onduleur de tension en modulation de largeur d'impulsion. L'identification du systeme inverse de courants repose sur le calcul des puissances active et reactive fluctuantes mises en jeu par la charge desequilibree, permettant une compensatiori en regime transitoire. Une formulation generale du dimensionnement du compensateur est proposee permettant de lier les parametres caracteristiques du desequilibre a la valeur des elements constitutifs. L'asservissement des courants et la regulation de la tension de l'onduleur sont analyses. Les resultats de simulation ont permis de valider et d'affiner l'etude theorique sur la base d'un cahier des charges. Cette etude s'inscrit dans le cadre d'une operation contractuelle entre le LEEI et les Etablissements CENTRALP Automatismes.","PeriodicalId":237595,"journal":{"name":"Journal De Physique Iii","volume":"96 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1997-08-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"127245340","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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Analyse de la migration d'un liant synthétique dans un enduit pigmenté 合成粘结剂在着色涂层中的迁移分析
Journal De Physique Iii Pub Date : 1997-08-01 DOI: 10.1051/JP3:1997213
M. Younis, D. Bruneau
{"title":"Analyse de la migration d'un liant synthétique dans un enduit pigmenté","authors":"M. Younis, D. Bruneau","doi":"10.1051/JP3:1997213","DOIUrl":"https://doi.org/10.1051/JP3:1997213","url":null,"abstract":"Le sechage d'un enduit pigmente contenant un liant synthetique (latex) est etudie en l'absence de papier-support. Dans ce but, les differentes phases de sechage de ce milieu sont tout d'abord identifiees et caracterisees. L'analyse de la migration du latex au cours du sechage permet ensuite de mettre en evidence l'effet de la fraction volumique locale en composants solides sur la vitesse de migration de celui-ci.","PeriodicalId":237595,"journal":{"name":"Journal De Physique Iii","volume":"45 3","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1997-08-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"131686616","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 1
Amélioration du modèle de Preisach. Application aux matériaux magnétiques doux Preisach模型的改进。软磁性材料的应用
Journal De Physique Iii Pub Date : 1997-08-01 DOI: 10.1051/JP3:1997219
J. Rousseau, P. Tenant, L. Zegadi
{"title":"Amélioration du modèle de Preisach. Application aux matériaux magnétiques doux","authors":"J. Rousseau, P. Tenant, L. Zegadi","doi":"10.1051/JP3:1997219","DOIUrl":"https://doi.org/10.1051/JP3:1997219","url":null,"abstract":"La modelisation des materiaux magnetiques pose de nombreux problemes, surtout lorsqu'il s'agit d'allier simplicite, rapidite d'execution et precision. Dans cet article, nous proposons une etude sur le generateur de cycles d'hysteresis de Preisach. Ce modele s'avere mal adapte aux materiaux magnetiques a cycles d'hysteresis couches. Nous suggerons une nouvelle approche qui permet d'accroitre considerablement la precision du modele de Preisach tout en conservant ses principales qualites.","PeriodicalId":237595,"journal":{"name":"Journal De Physique Iii","volume":"81 5 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1997-08-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"131303156","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 4
Swift Heavy Ion Induced Defect Study in Epitaxial n-Type CaAs from ${it In}$ ${it Situ}$ Hall Effect Measurements 基于霍尔效应测量的外延n型CaAs中快速重离子诱导缺陷研究
Journal De Physique Iii Pub Date : 1997-08-01 DOI: 10.1051/JP3:1997216
M. Mikou, R. Carin, P. Bogdanski, P. Marie
{"title":"Swift Heavy Ion Induced Defect Study in Epitaxial n-Type CaAs from ${it In}$ ${it Situ}$ Hall Effect Measurements","authors":"M. Mikou, R. Carin, P. Bogdanski, P. Marie","doi":"10.1051/JP3:1997216","DOIUrl":"https://doi.org/10.1051/JP3:1997216","url":null,"abstract":"Des couches epitaxiees de GaAs de type n (dopage au silicium, N D 10 17 cm -3 ) sont irradiees a 77 K avec des ions oxygene (0,163 GeV), krypton (5,15 GeV), xenon (5,73 GeV) et a 300 K avec des ions krypton (5,15 GeV). Les mesures d'effet Hall sont effectuees in situ, au fur et a mesure de l'accroissement de fluence. On observe une diminution de la concentration electronique et une degradation de la mobilite de Hall, respectivement dues au piegeage et a la diffusion des electrons sur les defauts ponctuels crees par l'irradiation. Dans de telles couches fortement dopees, les niveaux d'impuretes dopantes (donneurs peu profonds) sont engloutis dans une queue distordue de la bande de conduction. Un modele simple de conduction a deux bandes permet de simuler correctement les variations experimentales de la concentration de Hall a la fois en fonction de la temperature et de la fluence des ions. On simule egalement les variations de mobilite de Hall avec la fluence a 77 K car a cette temperature, la diffusion est principalement due aux impuretes et defauts ionises. A partir de ces simulations, il apparait que les niveaux E 1 et E 2 de la lacune d'arsenic correspondent vraisemblablement aux transitions simple accepteur (-/0) et simple donneur (0/+). Une estimation des taux de prospection de defauts est effectuee: la quantite totale de defauts detectes est egale a environ 50 % du nombre theorique de deplacements atomiques provoques par les collisions nucleaires, independamment du type d'ion incident et de la temperature. Bien que le pouvoir d'arret electronique S e soit environ 2000 fois plus grand que le pouvoir d'arret nucleaire S n , il semble que, dans la gamine exploree Se = 1-12 MeV/μm, l'excitation electronique induite par l'irradiation n'ait pas d'incidence sur la degradation des couches epitaxiees de GaAs de type n.","PeriodicalId":237595,"journal":{"name":"Journal De Physique Iii","volume":"41 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1997-08-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"134556770","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 10
Effet de la température de fabrication sur les propriétés structurales et morphologiques des couches épaisses de In2S3 “spray" 制造温度对In2S3“喷雾”厚层结构和形态性能的影响
Journal De Physique Iii Pub Date : 1997-08-01 DOI: 10.1051/JP3:1997214
N. Bouguila, H. Bouzouita, E. Lacaze, A. Amara, H. Bouchriha, A. Dhouib
{"title":"Effet de la température de fabrication sur les propriétés structurales et morphologiques des couches épaisses de In2S3 “spray\"","authors":"N. Bouguila, H. Bouzouita, E. Lacaze, A. Amara, H. Bouchriha, A. Dhouib","doi":"10.1051/JP3:1997214","DOIUrl":"https://doi.org/10.1051/JP3:1997214","url":null,"abstract":"Nous avons etudie l'effet de la temperature du substrat sur les proprietes structurales et morphologiques de couches de In 2 S 3 deposees sur des lames de verre par la methode de spray. La diffraction des rayons X a montre que l'In 2 S 3 est la phase principale presente dans ces films et que la structure et la forme allotropique de cette phase sont affectees par la temperature du substrat. L'analyse de ces couches par Microscopie Electronique a Balayage (MEB) et par Microscopie a Force Atomique (MFA) a montre qu'une meilleure cristallinite et une meilleure homogeneite sont obtenues pour des temperatures du substrat voisines de 613 K.","PeriodicalId":237595,"journal":{"name":"Journal De Physique Iii","volume":"45 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1997-08-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"128644232","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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