December 1, 1967最新文献_第4页

On the So-Called "Anomalous" Contrast at the Central Partial of Triple Blbbons 论三色带中心部分的所谓“异常”对比

December 1, 1967 Pub Date : 1967-12-31 DOI: 10.1515/9783112500224-045

T. V. Noedstrom, S. Amelinckx

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Magnetoresistivity of Metals 金属的磁电阻率

December 1, 1967 Pub Date : 1967-12-31 DOI: 10.1515/9783112500224-035

A. Seeger, E. Mann, K. Clauseckek

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Statistical Perturbation Theory of Order-Disorder Ferroelectrics: Zeroth Approximation 有序-无序铁电体的统计摄动理论:第零近似

December 1, 1967 Pub Date : 1967-12-31 DOI: 10.1515/9783112500224-020

R. Nettleton

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Electrical Properties of n-Type CdSe n型CdSe的电学性质

December 1, 1967 Pub Date : 1967-12-31 DOI: 10.1002/PSSB.19670240230

R. A. Btirmeister, D. Stevenson

{"title":"Electrical Properties of n-Type CdSe","authors":"R. A. Btirmeister, D. Stevenson","doi":"10.1002/PSSB.19670240230","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSB.19670240230","url":null,"abstract":"The electrical properties of n-type CdSe were studied over the temperature range of 4.2 to 300 °K. Measurements were made in both as-grown crystals and crystals annealed under controlled Cd pressures. Hall effect measurements on low resistivity specimens indicate the presence of a donor level 0.014 eV below the conduction band, with concentrations typically ≈ 1016 cm-3. Analysis of the Hall mobility data indicates that the predominant scattering mechanism at room temperature and above is polar optical mode scattering. The magnetoresistance effects observed are consistent with the energy structure determined by previous optical studies. The transport properties exhibited typical characteristics of impurity band conduction at low temperatures (< 77 °K), including negative magnetoresistance. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Die elektrischen Eigenschaften von n-Typ CdSe wurden im Temperaturbereich von 4,2 bis 300 °K untersucht. Die Messungen wurden an Kristallen unmittelbar nach der Zuchtung und nach Temperung unter kontrolliertem Cd-Druck durchgefuhrt. Die Messungen des Hall-Effektes an Proben mit geringem spezifischen Widerstand zeigen das Vorhanden-sein eines Donatorniveaus 0.014 eV unterhalb des Leitfahigkeitsbandes mit typischen Konzentrationen von ≈ 1016 cm −3. Die Analyse der Hall-Bewegliehkeitswerte deutet darauf hin, das sowohl bei Raumtemperatur als auch bei hoheren Temperaturen eine Streuung durch polare optische Phononen vorherrscht. Die beobachteten Magnetowiderstandsanderungen befinden sich in ubereinstimmung mit der Energiebandstruktur, die durch fruhere optische Untersuchungen bestimmt wurde. Die Transporteigenschaften zeigen bei tiefen Temperaturen (< 77 °K) die typischen Merkmale der Storbandleitung einschlieslich einer negativen Magnetowiderstandsanderung.","PeriodicalId":237803,"journal":{"name":"December 1, 1967","volume":"18 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1967-12-31","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132489989","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

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The Theoretical Strength of NaCl Crystals under Tension along its Body and Face Diagonals NaCl晶体在体面对角线张力作用下的理论强度

December 1, 1967 Pub Date : 1967-12-31 DOI: 10.1515/9783112500224-006

G. M. Babtenev, E. G. Kokyak-Doeonenko

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Some Ideas on Eleotroaooustio Domains 关于电学领域的一些思考

December 1, 1967 Pub Date : 1967-12-31 DOI: 10.1515/9783112500224-048

H. Hartnagel

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Mössbauer Effect in Ga 2-x FexO3 and Belated Compo Mössbauer对ga2 -x FexO3和迟交复合材料的影响

December 1, 1967 Pub Date : 1967-12-31 DOI: 10.1515/9783112500224-012

J. M. Teoostee, A. Dymantts

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Forward Current Injection Modulation of Photocurrent in p-n Heterojunctions pn异质结中光电流的正向注入调制

December 1, 1967 Pub Date : 1967-12-31 DOI: 10.1515/9783112500224-025

T. Tansley

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On the Nature of Oscillations in Impurity Photoconductivity Spectra of Ge 锗杂质光导光谱振荡性质的研究

December 1, 1967 Pub Date : 1967-12-31 DOI: 10.1002/PSSB.19670240238

V. A. Besfamilnaya, V. Elesin, I. A. Kueova, N. N. Ormont, V. V. Ostboborodova

{"title":"On the Nature of Oscillations in Impurity Photoconductivity Spectra of Ge","authors":"V. A. Besfamilnaya, V. Elesin, I. A. Kueova, N. N. Ormont, V. V. Ostboborodova","doi":"10.1002/PSSB.19670240238","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSB.19670240238","url":null,"abstract":"A theoretical analysis is given which considers the strong dependence of lifetime on the carrier energy, the impurity scattering, and the very short relaxation time τop of the “hot” photocarriers due to optical phonons. The carrier energy is always smaller than the optical phonon energy and jumps from this value to nearly zero if the photon energy minus carrier ionizationsenergy is increased from just below to just above a multiple of the optical phonon energy. The main assumption made is that the lifetime of the carriers in this energy interval is solely determined by the relaxation time τac due to the acoustic phonons; the relaxation time with the equilibrium carriers τre and the lifetime rr of “cold” carriers being much greater. The relative depth η of the oscillations is calculated and is in good agreement with experiments on Ga-doped p-type germanium at 7 °K. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Eine theoretische Analyse wird durchgefuhrt, die die starke Abhangigkeit der Lebensdauer von der Ladungstragerenergie, die Storstellenstreuung und die sehr kurze durch optische Phononen verursachte Relaxationszeit τop der »hcisen« Photoladungstrager berucksichtigt. Die Ladungstragerenergie ist stets kleiner als die Energie der optischen Phononen und springt von diesem Wert auf nahezu null, wenn die Photonenenergie, vermindert um die Ladungstragerionisationsenergie, von einem Wert gerade unterhalb eines Vielfachen der Energie der optischen Phononen auf einen Wert daruber gesteigert wird. Die Hauptannahme, die gemacht wird, ist, das die Lebensdauer der Ladungstrager in diesem Energie-Intervall allein durch die von den akustischen Phononen verursachte Relaxationszeit τac bestimmt wird, wahrend die Relaxationszeit mit den Gleichgewichtsladungstragern τre und die Lebensdauer τr der „kalten” Ladungstrager viel groser sein kann. Die relative Tiefe η der Oszillationen wird berechnet und befindet sich in guter ubereinstimmung mit Experimenten an Ga-dotiertem, p-leitendem Germanium bei 7 °K.","PeriodicalId":237803,"journal":{"name":"December 1, 1967","volume":"185 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1967-12-31","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"123842453","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

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Orientation Superstructures and their Effects in Spinel Ferrites 尖晶石铁氧体的取向超结构及其影响

December 1, 1967 Pub Date : 1967-12-31 DOI: 10.1002/PSSB.19670240226

A. Marais, T. Merceron

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