Electrical Properties of n-Type CdSe

Abstract

The electrical properties of n-type CdSe were studied over the temperature range of 4.2 to 300 °K. Measurements were made in both as-grown crystals and crystals annealed under controlled Cd pressures. Hall effect measurements on low resistivity specimens indicate the presence of a donor level 0.014 eV below the conduction band, with concentrations typically ≈ 1016 cm-3. Analysis of the Hall mobility data indicates that the predominant scattering mechanism at room temperature and above is polar optical mode scattering. The magnetoresistance effects observed are consistent with the energy structure determined by previous optical studies. The transport properties exhibited typical characteristics of impurity band conduction at low temperatures (< 77 °K), including negative magnetoresistance. Die elektrischen Eigenschaften von n-Typ CdSe wurden im Temperaturbereich von 4,2 bis 300 °K untersucht. Die Messungen wurden an Kristallen unmittelbar nach der Zuchtung und nach Temperung unter kontrolliertem Cd-Druck durchgefuhrt. Die Messungen des Hall-Effektes an Proben mit geringem spezifischen Widerstand zeigen das Vorhanden-sein eines Donatorniveaus 0.014 eV unterhalb des Leitfahigkeitsbandes mit typischen Konzentrationen von ≈ 1016 cm −3. Die Analyse der Hall-Bewegliehkeitswerte deutet darauf hin, das sowohl bei Raumtemperatur als auch bei hoheren Temperaturen eine Streuung durch polare optische Phononen vorherrscht. Die beobachteten Magnetowiderstandsanderungen befinden sich in ubereinstimmung mit der Energiebandstruktur, die durch fruhere optische Untersuchungen bestimmt wurde. Die Transporteigenschaften zeigen bei tiefen Temperaturen (< 77 °K) die typischen Merkmale der Storbandleitung einschlieslich einer negativen Magnetowiderstandsanderung.