Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»最新文献

{"title":"Особенности роста эпитаксиальных упругонапряженных гетероструктур AlGaInAs/InP для полупроводниковых лазеров / Светогоров В.Н., Акчурин Р.Х., Рябоштан Ю.Л., Яроцкая И.В., Ладугин М.А., Мармалюк А.А.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-337","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-337","url":null,"abstract":"Одной из наиболее перспективных полупроводниковых композиций полупроводниковых\u0000лазеров, используемых в волоконно-оптических линиях связи в качестве управляемых источников\u0000излучения, является гетероструктура AlxGayIn1-x-yAs/InP с множественными квантовыми ямами.\u0000Достижению повышенных рабочих характеристик таких лазеров способствуют большие значения\u0000разрыва зоны проводимости на гетерограницах и возможности формирования эпитаксиальных слоев\u0000с напряжениями сжатия или растяжения.\u0000На основе модели силового баланса проанализирована вероятность образования дислокаций\u0000несоответствия в спроектированной конфигурации активной области гетероструктуры AlxGayIn1-xyAs/InP. По модели проводился подбор величин напряжений сжатия в квантовых ямах и напряжений\u0000растяжения в барьерных слоях, которые будут наиболее благоприятными для создания напряженной\u0000гетероструктуры без риска возникновения в ней дислокаций несоответствия. Методом МОСгидридной эпитаксии осуществлен рост упругонапряженных гетероструктур с одиночной квантовой\u0000ямой и множественными квантовыми ямами. Исследования фотолюминесценции полученных\u0000образцов показали высокие излучательные характеристики на длинах волн близких к 1.55 мкм.\u0000С помощью сканирующего электронного микроскопа на поверхности образцов\u0000обнаруживались ограненные дефекты, имеющие форму усеченных пирамид, геометрические\u0000размеры которых в плоскости возрастали от 1 до 7 мкм с\u0000увеличением количества квантовых ям и остаточного\u0000напряжения в гетероструктуре. Исследования элементного\u0000состава показали, что образовавшиеся дефекты состоят из\u0000бинарного соединения InAs. Полученный результат был\u0000подтвержден обработкой поверхности образцов с помощью\u0000селективного для InAs травителя HCl: при обработке были\u0000стравлены дефекты и не затронут эпитаксиальный слой.\u0000Причиной образования выявленных дефектов являются,\u0000видимо, развитие трехмерного роста по механизму СтранскогоКрастанова в ходе роста напряженных слоев и сегрегационные\u0000явления, связанные с накоплением индия на поверхности роста.\u0000Обсуждаются возможности устранения указанных дефектов в процессе роста изучаемых\u0000эпитаксиальных гетероструктур.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"24 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115094046","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Одиночные углеродные наноосцилляторы и резонансные детекторы масс на их основе / Мухин И.С., Лукашенко С.Ю., Комиссаренко Ф.Э., Голубок А.О.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-469","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-469","url":null,"abstract":"Наномеханические осцилляторы, имеющие малый объем и малую массу являются\u0000перспективными чувствительными элементами для прецизионных сенсоров различных физических\u0000величин. Кроме того, интерес к наноосцилляторам с высокой резонансной частотой и добротностью\u0000связан с тем, что при низких температурах такие, вообще говоря, макроскопические с точки зрения\u0000квантовой механики механические объекты, состоящие из большого ансамбля атомов (108\u0000 – 109\u0000)\u0000могут переходить в необычное для макроскопических\u0000образцов квантовое состояние [1]. Развитие нанотехнологий в последние годы\u0000сделало доступным для\u0000экспериментальных исследований разнообразные типы\u0000наномеханических осцилляторов, состоящих из различных материалов [2, 3].\u0000В данной работе\u0000представлен метод\u0000формирования наноосцилляторов на основе одиночных углеродных нановискеров,\u0000созданных на вершине металлических острий при осаждении материала под действием\u0000сфокусированного электронного пучка в камере сканирующего электронного микроскопа (СЭМ).\u0000Данный метод является аддитивным подходом, позволяющим формировать многомерные углеродные\u0000наноструктуры. Представлена методика исследования механических свойств созданных углеродных\u0000наноструктур в условиях вакуума камеры СЭМ при возбуждении и детектировании собственных\u0000механических колебательных мод наноструктур. СЭМ изображение\u0000одиночного С вискера, локализованного на вершине W острия, в котором возбуждены механические\u0000колебания на первой резонансной моде. Приведена экспериментально измеренная\u0000амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) данного осциллятора.\u0000Комплексная методика на основе метода осаждения материала под действием\u0000сфокусированного электронного пучка и метода переноса наночастиц металлическим острием,\u0000экспонируемым электронным пучком, позволила создать, исследовать и откалибровать резонансные\u0000детекторы масс на основе одиночных углеродных нановискеров с наноловушками, сформированных\u0000на вершине острий. Анализ сдвига АЧХ колебаний нанорезонатора до и после фиксации\u0000одиночных наносфер калиброванной массы на его конце с ловушками позволил провести калибровку\u0000сенсора масс и оценить чувствительность метода на уровне (10-15 - 10-14).","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"251 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116162277","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Энергетическая структура поверхностных состояний топологического изолятора Bi2Se3 вблизи ступеней поверхности / Федотов Н.И., Зайцев-Зотов С.В.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-481","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-481","url":null,"abstract":"Топологические изоляторы характеризуются наличием топологически защищенных\u0000поверхностных состояний на фоне объемной запрещенной зоны. В случае топологического изолятора\u0000Bi2Se3 эти поверхностные состояния образуют в обратном пространстве перекрывающий\u0000энергетическую щель объема конус, вершина которого называется точкой Дирака.\u0000Безмассовые дираковские электроны обладают\u0000рядом экзотических свойств. Например, они могут\u0000проходить без отражения через потенциальную ступеньку\u0000(клейновское туннелирование), что приводит к\u0000невозможности ограничения безмассовых электронов в\u0000одномерном случае с помощью одного лишь\u0000электрического поля. В этом контексте интерес\u0000представляет изучение топологически защищенных\u0000поверхностных состояний вблизи протяженных дефектов,\u0000в частности ступеней, неизбежно присутствующих на\u0000поверхности топологического изолятора.\u0000В результате исследований поверхности\u0000топологического изолятора Bi2Se3 методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии\u0000обнаружено наличие изгиба зон вблизи ступеней поверхности, что означает формирование\u0000потенциальной ямы для электронов с характерными значениями глубины и ширины ~0.1 эВ и ~10 нм.\u0000При этом величина нормированной дифференциальной туннельной проводимости dI/dV в точке\u0000Дирака растет при приближении к краю ступени [1]. Эти результаты намекают на существование\u0000краевых состояний вблизи ступеней. Однако анализ влияния изгиба зон на туннельные спектры с\u0000помощью модели планарного туннельного контакта в рамках квазиклассического приближения\u0000показал, что при учете зависимости прозрачности туннельного барьера от приложенного напряжения\u0000изгиб зон приводит не только к сдвигу кривой дифференциальной туннельной проводимости, но и к\u0000появлению поправки к dI/dV [2]. Таким образом, рост дифференциальной туннельной проводимости\u0000сам по себе не является доказательством наличия краевых состояний. Детальное исследование формы\u0000туннельных спектров, подкрепленное численным моделированием на основе двумерного\u0000дираковского гамильтониана, показало, что, действительно, в потенциальных ямах вблизи ступеней\u0000формируются связанные одномерные состояния двумерных дираковских электронов [3]. Кроме того,\u0000моделирование состояний дираковских электронов вблизи ступеней поверхности и боковых граней в\u0000трехмерном случае в рамках эффективного континуального гамильтониана показало, что наличия\u0000ступеней недостаточно для появления краевых состояний, в то время как различие работ выхода на\u0000разных гранях приводит к образованию связанных на этих гранях состояний [4].","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"104 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"122419123","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Обратимая фотозарядка в коллоидных наноплателетах CdSe / \u0000Шорникова Е.В., Яковлев Д.Р., Головатенко А.A., Родина А.В., Biadala L.,\u0000Kuntzmann A., Nasilowski M., Dubertret B., Bayer M.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-263","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-263","url":null,"abstract":"Коллоидные наноплателеты CdSe – это новый класс коллоидных нанокристаллов,\u0000выделяющихся своими узкими спектрами фотолюминесценции (ФЛ). В частности, при гелиевых\u0000температурах, ширина линий составляет порядка 10 мэВ, т.е. меньше энергии связи трионов, что\u0000позволяет спектрально разрешить экситонное и трионное излучение.\u0000В данной работе исследовались CdSe наноплателеты толщиной 1.5 нм (5 монослоев).\u0000Измерения проводились при температурах 4 – 200 К и магнитных полях до 15 Тл в геометрии\u0000Фарадея. ФЛ возбуждалась 405-нм лазером в импульсном режиме (длина импульса 40 пс) с частотой\u00005 МГц и средней плотностью возбуждения 14 мкВт.\u0000В спектрах низкотемпературной ФЛ наблюдались два пика. Ранее нами было показано, что пик\u0000с большей энергией излучения относится к рекомбинации экситонов [1]. В данной работе мы\u0000доказываем, что пик, смещенный от экситонного примерно на 20 мэВ связан с рекомбинацией\u0000трионов. При освещении светом образца, до этого не подвергавшегося облучению, интенсивность ФЛ\u0000экситонного пика снижается, а трионного  растет. Этот процесс связан с постепенным\u0000накоплением зарядов в ансамбле наноплателетов, его характерное время составляет 200 с. В темноте,\u0000после прекращения освещения, заряд наноплателетов сохраняется на протяжении по крайней мере 10\u0000часов. Нагревание образца до температуры порядка 200 К приводит к «стиранию» зарядов\u0000наноплателетов, возвращая образец к исходному, незасвеченному состоянию.\u0000Знак заряда триона был определен по знаку\u0000циркулярной поляризации в магнитном поле. Обнаружено, что, как и в\u0000наноплателетах ядро/оболочка CdSe/CdS [2], трион\u0000заряжен отрицательно. g -фактор дырки был оценен\u0000из зависимости степени циркулярной поляризации\u0000ФЛ от напряженности магнитного поля. Его\u0000значение находится в пределах от –0.03 до –0.2, в\u0000зависимости от предполагаемого углового\u0000распределения наноплателетов.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"122 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"122617674","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Модификация и контроль состояния поверхности нанопроволочных биосенсоров / Наумова О.В., Фомин Б.И., Дмитриенко Е.В., Пышная И.А., Пышный Д.В.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-432","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-432","url":null,"abstract":"Нанопроволочные сенсоры являются высокочувствительными аналитическими приборами,\u0000предназначенными для качественного и количественного анализа биологических и химических\u0000веществ. Принцип действия прибора основан на модуляции проводимости нанопроволочного\u0000сенсорного элемента при адсорбции на его поверхность частиц аналита любой природы (бактерий,\u0000вирусов, белков, ДНК, и др.). Биосенсором такой прибор становится после формирования на его\u0000поверхности специального рецепторного слоя (или слоя зондов), способного с высокой\u0000селективностью и специфичностью распознавать частицы аналита в тестируемом растворе. Поэтому\u0000модификация и контроль состояния поверхности\u0000сенсоров являются одними из ключевых проблем и\u0000задач при изготовлении таких приборов.\u0000Одним из интенсивно развивающихся\u0000направлений использования (целевых назначений)\u0000нанопроволочных биосенсоров является создание на\u0000их основе электронных детекторов белковых и микроРНК маркеров социально-значимых заболеваний,\u0000например, рака легкгих [1], рака груди [2], инфаркта\u0000миокарда, и др. Особое внимание уделяется созданию\u0000многоканальных сенсоров на основе пленок кремнияна-изоляторе (КНИ). Использование КНИ\u0000обусловлено возможностью массового производства\u0000диагностических Lab-on-Chip систем в рамках\u0000промышленной кремниевой технологии. Многоканальность сенсорных элементов обеспечивает\u0000увеличение эффективной площади, соответственно, вероятности детекции аналита, хотя и выдвигает\u0000особые требования к качеству пленок кремния.\u0000Задачами данной работы являлись: 1) разработка и изготовление биочипов с многоканальными\u0000сенсорными элементами для детекции биомаркеров и 2) проведение испытаний специфичной\u0000детекции сенсорами с разными типами модификации поверхности органоспецифических\u0000биоорганических объектов малых концентраций матричных органоспецифичных РНК. При\u0000исследованиях были использованы многоканальные сенсоры на основе пленок КНИ. В\u0000качестве метода контроля состояния поверхности сенсоров на разных этапах ее модификации был\u0000использован метод, предложенный в работе [3]. Метод основан на определении плотности состояний\u0000на поверхности сенсоров при использовании зависимости между изменением порогового\u0000напряжения, или смещением затворных характеристик сенсоров и напряжением на электроде,\u0000помещенных в тестируемый раствор.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"78 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"122995420","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Микрофотолюминесценция структурных дефектов в плёнках CdTe/GaAs и CdTe/Si для КРТ подложек / Николаев С.Н., Кривобок В.С., Онищенко Е.Е., Пручкина А.А., Ченцов С.И.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-343","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-343","url":null,"abstract":"В работе исследована\u0000низкотемпературная микрофотолюминесценция (МФЛ) пленок\u0000CdTe/(103)Si и CdTe/(103)GaAs\u0000толщиной 5.5 мкм, используемых в\u0000качестве виртуальных подложек для\u0000КРТ. В спектрах излучения пленок\u0000доминировало излучение протяженных дефектов, см. рис. 1A. С\u0000уменьшением плотности\u0000возбуждения (< 15 мВт/см2) и\u0000температуры (< 10-15 К) широкие\u0000полосы дислокационной\u0000люминесценции\u0000трансформировались в наборы\u0000спектрально узких пиков, которые\u0000могут быть интерпретированы как\u0000изолированные (квантовые)\u0000излучатели, сформированные\u0000фрагментами ядер дислокаций, см\u0000рис. 1B. Характерными\u0000особенностями таких излучателей\u0000являются малая спектральная\u0000ширина линии, высокая степень\u0000линейной поляризации и слабая\u0000связь с решеткой CdTe через\u0000фрелиховский механизм электронфононного взаимодействия.\u0000Перечисленные особенности излучателей, связанных с протяженными дефектами, позволяют\u0000выделять их на фоне остальных механизмов примесно-дефектной люминесценции. Статистический\u0000анализ пространственного распределения сигнала МФЛ и поляризации \u0000излучателей позволил установить принципиальные отличия протяженных дефектов в пленках CdTe\u0000выращенных на Si и GaAs подложках. Показано, что в пленках CdTe/Si дислокационные ядра\u0000привязаны к одному выделенному направлению, совпадающему с проекцией одного из направлений\u0000семейства <110> на плоскость поверхности [103]. Это направление совпадает с направлением\u0000распространения частичных 90° дислокаций Шокли, таким образом, подтверждая связь главной\u0000линии дислокационного излучения с частичными дислокациями. В CdTe/GaAs, в отличие от CdTe/Si,\u0000отсутствует выделенное направление в пространственной ориентации дислокаций. Так как наличие\u0000выделенного направления неизбежно связано с существованием макроскопических деформационных\u0000и/или электрических полей, полученные данные могут объяснять ухудшение свойств КРТ слоя при\u0000его росте на CdTe/Si подложке.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"11 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114583844","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Люминесценция из верхней поляритонной ветки в металло - органическом микрорезонаторе в режиме сильной связи / Морозов К.М., Иванов К.А., Гиршова Е.И., Селенин Н., Михрин С., Позина Г., Де Са Перейра Д., Менелаоу К., Монкман Э., Калитеевский М.А.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-395","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-395","url":null,"abstract":"Были изготовлены металло - диэлектрические резонаторы, состоящие из брэгговского зеркала\u0000(5 пар SiO2/Ta2O5), активной области из органического материала 4,4-Bis(N-carbazolyl)-1,1-biphenyl(CBP) и слоя серебра. В такой структуре имеет место взаимодействие между таммовским\u0000плазмоном (ТП) [1] и экситоном в режиме сильной связи, что сопровождается появлением двух\u0000поляритонных мод, характеризующимся расщеплением около 0.5 эВ.\u0000Дизайн структуры был рассчитан таким образом, чтобы обеспечить усиление спонтанной\u0000эмиссии как для нижней, так и для верхней поляритонной ветки. По\u0000мнению авторов это первое наблюдение люминесценции из верхней поляритонной ветви в\u0000микрорезонаторе с органической активной областью. Для исследованных структур полоса излучения\u0000может достигать ширины 0.75 эВ, что может быть использовано для создания\u0000органических светодиодов с широкой полосой излучения.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"14 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114610194","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Влияние отжига на транспортные и оптические свойства узкощелевых твердых растворов CdHgTe / Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Черничкин В.И., Галеева А.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В., Гавриленко В.И.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-338","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-338","url":null,"abstract":"Твердые растворы Hg1-xCdxTe (КРТ)\u0000являются одним из основных материалов\u0000инфракрасной оптоэлектроники [1]. Ширина\u0000запрещенной зоны Eg в них меняется от 0 (при x\u0000<~ 0.16) до 1.6 эВ (при x = 1). Современные\u0000технологии молекулярно-лучевой эпитаксии\u0000(МЛЭ) позволяют уменьшить флуктуации\u0000состава, препятствовавших продвижению КРТ в\u0000длинноволновую область. Однако даже в таких\u0000структурах присутствуют примеси и дефекты,\u0000которые могут значительно влиять на свойства\u0000полупроводника. В данной работе изучались\u0000оптические и транспортные свойства твердых\u0000растворов КРТ при разных температурах (4.2–\u0000300 K) с целью определения энергетического\u0000спектра примесных состояний.\u0000Исследовались эпитаксиальные пленки Hg1-xCdxTe (x~0.2), выращенные методом МЛЭ.\u0000Непосредственно после роста они имеют проводимость n-типа. Образцы подвергаются отжигу, что\u0000приводит к появлению вакансий ртути, которые являются двухзарядовыми акцепторами, при этом\u0000тип проводимости меняется на дырочный. Измерялись спектры фотопроводимости (ФП) с помощью\u0000фурье-спектрометра Bruker Vertex 70v и гальваномагнитные характеристики при различных\u0000температурах.\u0000Транспортные измерения показывают качественное различие температурной зависимости\u0000сопротивления для отожженных и неотожженных образцов, что позволяет однозначно\u0000идентифицировать их тип. Величины запрещенных зон, определенные из оптических и из\u0000транспортных измерений, хорошо совпадают для неотожженных образцов. В то же время для\u0000отожженных образцов «транспортная» Eg оказывается значительно больше, что, по-видимому,\u0000связано со значительными флуктуациями потенциала в отожжённых образцах.\u0000Помимо межзонного поглощения в спектрах наблюдался ряд субщелевых особенностей\u0000(рис. 1). Особенности 1 и 2 связаны с переходом дырки с основного состояния однократно\u0000ионизированного и нейтрального акцепторных состояний вакансий ртути соответственно в\u0000континуум [2]. Увеличение температуры приводит к уменьшению интенсивности пиков за счет\u0000изменения доли состояний двухзарядового акцептора и температурного гашения. Определение\u0000температур «исчезновения» примесных особенностей позволило оценить концентрацию акцепторов.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"14 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"122072657","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Плазмонно-резонансное поглощение ТГц излучения в графене /\u0000Титова Е.И., Былинкин А.Н., Кащенко М.А., Михеев В.В., Жукова Е.С., Свинцов Д.А.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-244","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-244","url":null,"abstract":"Возбуждение поверхностного плазмонного резонанса (ППР) позволяет концентрировать\u0000электромагнитное поле в веществе, что значительно увеличивает поглощение излучения различными\u0000материалами. Этот эффект позволяет создавать эффективные и сверхбыстрые фотодетекторы на\u0000основе графена, который в обычном состоянии слабо поглощает внешнее излучение.\u0000Фотодетектирование с помощью возбуждения ППР уже наблюдалось в высококачественном графене\u0000на SiC [1], а также в инкапсулированном графене, полученном методом отщепления [2]. В данной\u0000работе показано возбуждение ППР в более доступном и масштабируемом графене, полученном\u0000методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) в диапазоне 5-10 ТГц.\u0000Были изготовлены транзисторные структуры с монослоем графена в качестве канала, золотыми\u0000контактами в качестве стока/истока, и p-легированной Si/SiO2 подложкой в качестве нижнего затвора.\u0000Также на стеке графен/диэлектрик была сделана субмикронная решетка из титана для возбуждения\u0000ППР. Металлическая решетка с минимальними размерами 130нм была\u0000изготовлена с помощью электронно-лучевой литографии.\u0000Спектры пропускания данной структуры были измерены с помощью Фурье-спектрометра\u0000Bruker Vertex 80v в диапазоне от 50 до 450 см-1. Во время спектрометрических измерений образцы\u0000также контролировались электрически. Пренебрегая отражением и рассеянием излучения,\u0000поглощение образца равно\u0000CNP\u0000G\u0000T\u0000VT A )( 1 , где TCNP - пропускание графена в точке\u0000электронейтральности. Измерения проводились при двух различных поляризациях излучения:\u0000параллельно и перпендикулярно\u0000титановой решетке. При этом в первом\u0000случае наблюдалось только Друдепоглощения в графене, тогда как во\u0000втором случае возбуждался ППР.\u0000Исследовав зависимость частоты\u0000ППР от напряжения на затворе мы обнаружили, что ранние\u0000теории [3] плохо описывают данный\u0000эффект, т.к. не учитывают сильное\u0000отражение плазмонов на краях\u0000металлических полос при близком\u0000расположении решетки и графена. В\u0000отличие от предыдущих теорий,\u0000резонансная частота плазмонов в таком\u0000случае определяется длинной\u0000отдельных металлических полос, а не периодом решетки. Мы сформулировали простую теорию для\u0000резонансных частот в нашем эксперименте, которая описывает экспериментальные данные без каких-либо подгоночных параметров [4].","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"255 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"122079889","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Взаимодействие электронов в краевых состояниях с немагнитными дефектами в 2D топологических изоляторах / Сабликов В.А., Суханов А.А.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-480","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-480","url":null,"abstract":"В докладе изучается взаимодействия электронов в краевых состояниях в двумерном\u0000топологическом изоляторе с немагнитными дефектами, расположенными недалеко от границы, при\u0000наличии спин-орбитального взаимодействия. Такая ситуация реализуется, по-видимому, во многих\u0000экспериментах, и часто привлекается для объяснения наблюдаемых особенностей электронного\u0000транспорта. В этих условиях важны два обстоятельства: взаимодействие краевых состояний с\u0000дефектом и взаимодействие между электронами, – изучение которых сильно осложняется\u0000присутствием спин-орбитального взаимодействия, необходимого для процессов рассеяния назад\u0000электронов в краевых состояниях. Мы предлагаем модель, позволяющую описать электронные\u0000состояния и рассеяние в этом случае. Ключевым моментом является определение одночастичных\u0000краевых состояний, связанных с дефектом [1], которые далее используются для построения\u0000двухчастичных состояний и изучения процессов рассеяния. Такие состояния формируются в\u0000результате гибридизации краевых состояний с локализованными состояниями на дефекте. Они\u0000образуют крамерсову пару и имеют сложную электронную структуру вблизи дефекта, возникновение\u0000которой связано с тем, что спиновая и псевдоспиновая структура краевых и локализованных\u0000состояний сильно различаются. Локальная плотность краевых состояний, связанных с дефектом,\u0000имеет резкий максимум, положение которого смещено относительно уровня изолированного дефекта,\u0000а ширина определяется расстоянием от дефекта до края. Важно, что благодаря спин-орбитальному\u0000взаимодействию вблизи дефекта образуются «облака» электронной плотности, которые формируются\u0000краевыми состояниями, бегущими как вправо, так и влево. Эти облака оказывают существенное\u0000влияние на взаимодействие между электронами, особенно когда энергия состояний лежит вблизи\u0000резонанса, так как спиновая и псевдоспиновая структура состояний в топологической фазе, как\u0000известно [2], в значительной мере определяет величину прямого и обменного взаимодействий. В\u0000работе проанализированы процессы рассеяния на дефекте двух взаимодействующих электронов для\u0000разных комбинацией спиновых состояний сталкивающихся частиц в соответствии с общей теорией\u0000рассеяния одинаковых частиц, позволяющий учесть обменное взаимодействие между ними.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"31 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"129724464","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}