【实验步骤】计算CB和VB电位
纳米材料催化
2025-04-10 08:30
文章摘要
本文主要研究了Hemin-BTO纳米材料的催化性能,通过使用UH4150分光光度计测量其紫外-可见漫反射光谱,并利用Tauc图得到带隙值(Eg)。在此基础上,通过经验公式计算了Hemin-BTO NPs的导带(CB)和价带(VB)电位。实验在pH为7的Na2SO4电解质中进行,温度为25℃,EAg/AgCl为0.199 V。研究还指出,作为n型半导体,Mott-Schottky方法产生的平坦带比CB位置高出近0.1 V。
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