西安交大：每秒10万次记忆储存，有机电化学晶体管赋能高频人工神经 |《自然-电子学》论文

本文介绍了西安交通大学研究团队在《自然-电子学》上发表的一项研究，他们开发了一种基于均质集成有机电化学晶体管的高频人工神经。该研究旨在解决现有n型有机电化学晶体管在易失性和非易失性存储性能上的不足，通过设计具有梯度双连续结构的垂直n型有机电化学晶体管，显著提升了离子和电子传输与存储性能。研究结果表明，这种晶体管可以实现27 μs的易失性响应、100-kHz的非易失性记忆频率和长时间的电导记忆。构建的集成人工神经在高频域中实现了感知、处理和记忆功能，并在动物模型中成功恢复了基础条件反射能力。这一成果为神经修复和脑机接口技术的发展提供了新的可能性。