1年多时间，已发4篇Nature，复旦科研团队，再登Science！

现代电子系统的信息存储基础是电子存储，其终极目标是实现单电子存储器（SEM）。传统体相材料由于尺寸微缩引发的边缘电容效应，导致室温下无法观测到离散的量子态，且难以兼顾高性能与非易失性。为了解决这一问题，复旦大学周鹏教授、刘春森团队报告了一种基于共面漏极-沟道-源极（DCS）结构的二维单电子存储器件，利用原子级薄二维沟道和自对准边缘接触技术，成功抑制了边缘电容。实验在室温下实现了高达0.5伏的非易失性阈值电压偏移，并验证了编程电压量化和脉宽无关等独特量子行为。研究还提出并验证了“状态密度剪刀（DOS-scissors）”理论，即石墨烯存储层的零态密度区域可像剪刀一样“切断”量子态，在双狄拉克结构中观测到反常的量子态消失现象，为精准操纵单个量子态提供了新范式。该成果为开发下一代超高密度、低功耗纳米存储器奠定了理论与技术基础。