南京大学张照强团队Adv. Mater.：超高纯含氟特气封装存储-释放与纯化

背景：高纯含氟电子特气（>5N）是半导体制造的核心材料，其中八氟丙烷（C3F8）在先进芯片制造中广泛应用但常含1-10%的C3F6杂质。由于C3F6和C3F8沸点极接近（236.3 vs 242 K），传统低温精馏技术分离成本高、设备投资大。此外，含氟特气沸点低、易挥发，储运依赖加压液化，存在能耗高、高压操作和泄漏风险。研究目的：南京大学张照强团队旨在通过孔工程策略在亚埃级尺度上精准调控微孔吸附剂的孔结构与孔化学，同时实现含氟电子特气的高容量存储、高效可控释放及高纯分离，解决安全储运与纯化的技术挑战。结论：研究成功将“高容量存储、可逆高效释放和高效分离”三种性能集成于Co-MFU-4L及其衍生材料，具有创纪录的C3F6和C3F8存储容量（>170 cm³/g），质量吸附量>130 wt%，并兼具优异循环特性与低再生能耗。通过进一步调控孔窗尺寸，Co-MFU-4实现了突破性C3F6/C3F8分子尺寸筛分，可直接从混合气中制备电子级C3F8（>99.999%，3300 L/kg）；改变阴离子后，分离机制转变为动力学筛分，选择性高达60.6。该研究为含氟电子特气的高效纯化、安全储存与可控释放提供了全新解决方案。