电子科大最新Nature：挥发辅助配位策略实现稳定的锡基钙钛矿晶体管

针对锡基钙钛矿半导体因不饱和配位SnI₂终止面活性高导致的自p型掺杂和快速氧化降解问题，研究团队提出了一种挥发辅助配位的表面重构策略。通过在钙钛矿薄膜表面引入醋酸钾，使醋酸根与不饱和配位的Sn²⁺发生瞬态配位，将不稳定的SnI₂表面转化为化学稳定、缺陷稀少的KI惰性界面，副产物醋酸锡在温和退火时自发气化脱附。该自限性表面重构消除了诱导空穴的锡空位等陷阱态，压制了自掺杂并稳定了化学计量比，制备出具有优异传输特性、高开关比（10⁸）以及接近零阈值电压（~5 V）的p沟道薄膜晶体管。器件在100°C下能稳定运行超过1个月，并具有可逆的抗氧化与电学恢复能力。研究成果发表于Nature。