Operando XSTM表征技术，登上Nature！

基于二维材料的晶体管因其优异静电控制被视为1nm以下逻辑节点的候选，但传统方法难以直接测量接触区的载流子注入分布。本研究通过开发Operando截面扫描隧道显微镜技术，在亚纳米尺度直接测量了Bi/MoS2晶体管接触区的载流子传输长度（LT）约为2.0-3.0 nm，远低于传统估算值。背景：二维晶体管沟道微缩研究深入，但缺乏直接探测载流子注入区域的实验技术；研究目的：开发可在器件工作状态下直接测量注入长度的XSTM技术，明确金属接触的微缩限制；结论：Bi/MoS2接触的超短传输长度满足1nm节点要求，为超微型器件设计提供了关键物理指标。