北京航空航天大学Nat. Nanotechnol.: 交错磁体RuO2薄膜中的巨大室温三阶电输运现象

计算材料学 2026-06-16 20:11
文章摘要
本文报道了北京航空航天大学研究团队在《自然·纳米技术》上发表的研究成果。背景方面,量子几何(包括量子度规和贝里曲率)是描述固体中电子能带几何结构的关键概念,其与量子材料的关联可带来新物理现象。研究目的旨在探索具有自发破缺时间反演对称性和宇称-时间对称性的交错磁体中,能否同时呈现时间反演奇偶性的量子几何量,并由此产生可观测的电输运效应。结论表明,在(101)取向的交错磁性RuO2薄膜中,研究人员成功观测到了巨大的室温三阶电输运响应,该响应具有显著的量子几何贡献,且三阶霍尔效应与交错磁序密切相关,可作为探测奈尔向量的有力工具。此项工作不仅支持了8 nm厚RuO2薄膜中交错磁性的存在,还揭示了交错磁体是探索量子几何及构建量子电子和自旋电子器件的多功能平台。
北京航空航天大学Nat. Nanotechnol.: 交错磁体RuO2薄膜中的巨大室温三阶电输运现象
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DOI: 10.1038/s41565-026-02181-6 Pub Date : 2026-06-12
IF 34.9 1区 材料科学 Q1 Nature nanotechnology
计算材料学
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