(纯计算)北京航空航天大学国际创新研究院/浙江钱塘高等研究院Nano Lett.: 奈尔反铁磁体异质结中可调的自旋-谷锁定量子反常霍尔铁谷态

本文报道了北京航空航天大学与浙江钱塘高等研究院在MnSe/Pt2HgSe3异质结中实现可调自旋-谷锁定量子反常霍尔铁谷态的研究。背景方面，利用奈尔反铁磁体实现量子反常霍尔效应是一个尚未充分探索的领域。研究目的在于通过磁近邻效应，在异质结中诱导出拓扑非平庸的量子态。结论表明，该异质结在电荷中性点处形成约40 meV的量子反常霍尔能隙，并展现出独特的自旋-谷锁定拓扑相。通过化学势和面外电场的调控，可以驱动系统在不同拓扑态间转换，并反转谷间的贝里曲率分布，为构建可调控的反铁磁拓扑谷电子学平台提供了新途径。