清华大学「国家高层次人才」宁存政/李永卓Science子刊 | 硅基集成MoTe₂发光晶体管！

该文章主要针对下一代片上光电子集成电路中，硅基集成高效纳米级光源面临的关键挑战展开研究。传统二维材料电致发光器件因发光位置固定、耦合效率低，难以满足可重构光子电路的需求。研究团队基于少层二碲化钼（MoTe₂），成功制备了一种硅兼容型发光晶体管（LET）。该器件通过动态p-i-n结实现了电致发光位置在15微米沟道内的电学可编程移动，并与作为背栅的硅波导集成，通过调节栅压和偏压优化了约1300纳米波段的光发射与波导模式的耦合。实验结果显示，该器件具备高开关比（>10⁵），并取得了高达67%的系统级耦合效率记录。研究结论表明，这种可重构光源有效克服了集成瓶颈，为发展可编程光子回路及二维材料在硅光子学中的实际应用提供了新途径。