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背景:锡基钙钛矿虽具有优异的光电子性能,但配位不饱和锡离子易导致自掺杂和氧化降解,限制了其实际应用。研究目的:为解决锡基钙钛矿本征不稳定性问题,提出挥发辅助配位策略来调控其表面缺陷化学和自掺杂行为。结论:通过乙酸根与表面配位不饱和锡位点的瞬态配位及后续挥发,成功将高活性的SnI2终止表面转化为化学状态更平衡、缺陷更少的稳定界面,有效抑制了自掺杂,实现了接近零阈值电压和高开关比的晶体管,器件在100℃下能稳定运行超过1个月,为亚稳态锡基钙钛矿的缺陷平衡调控提供了通用框架。