研究前沿：薛其坤院士领衔！清华大学，范德华铁磁半导体Cr₂Ge₂Te₆ | Advanced Materials

背景：铬锗碲（Cr₂Ge₂Te₆）是一种范德华铁磁半导体，在自旋电子学中具有应用潜力，但其单层样品因易碎、形状不规则和磁信号微弱，磁性基态长期难以确定。研究目的：清华大学冯硝/何珂团队旨在通过分子束外延技术在硅衬底上生长均匀的单层Cr₂Ge₂Te₆薄膜，并探究其磁性特性。结论：研究成功在Si (111)衬底上生长出毫米级均匀的单层薄膜，结合磁测量证实单层Cr₂Ge₂Te₆在10 K以下具有本征铁磁性和垂直磁各向异性，表现出二维强磁涨落特征；随着厚度增加，磁性逐渐转变为常规长程铁磁序。该工作明确了单层材料的铁磁基态，为二维磁体在自旋电子学或量子器件的硅基集成提供了可扩展的技术路径。