广工孙志鹏教授/中大卢侠教授AEM：氟掺杂抑制反位缺陷实现高压稳定钠电正极

背景：NASICON型钒基磷酸盐正极材料因具有高比容量潜力而备受关注，但其高电压V4+/V5+氧化还原反应可逆性差，主要源于充放电过程中V5+迁移形成“衍生反位缺陷”（DASD），导致结构退化和性能下降。研究目的：通过氟掺杂策略抑制V/Na反位缺陷的形成，以提升Na3VAl(PO4)3正极在高电压下的电化学性能。结论：氟掺杂成功提高了V5+迁移能垒和反位缺陷形成能，有效抑制了缺陷形成，显著增强了V4+/V5+反应可逆性、倍率性能和循环稳定性（5C下5000次循环后容量保持率91.5%），并为设计高稳定性高压钠电正极提供了理论依据。