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本研究针对二维过渡金属二硫族化物规模化制备的瓶颈问题，通过衬底工程创新开发了镧钝化蓝宝石衬底。研究目的旨在实现晶圆级单晶TMDC材料的可控制备，采用化学气相沉积和金属有机化学气相沉积工艺成功生长出150毫米单晶二硫化钼、二硒化钼、二硫化钨和二硒化钨。实验结果表明，该方法突破了传统工艺在材料类型和均匀性方面的限制，制备的TMDC材料展现出优异电学性能，其中二硫化钼和二硒化钨室温迁移率分别达到110和131平方厘米/伏特/秒。该技术为二维半导体商业化应用提供了关键解决方案。