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研之成理 2025-07-21 08:56
文章摘要
本文研究背景聚焦于白光发光二极管(WLED)的性能提升问题,特别是单组分量子点白光LED(sc-WQLED)因光谱稳定性高、驱动电压低等优势备受关注,但现有材料存在效率低下和稳定性不足的缺陷。研究目的是通过异价掺杂在ZnSe量子点中构建局域晶格软化区,结合自陷激子(STE)宽带发射与激子窄带发射的创新思路,突破当前sc-WQLED外量子效率(EQE)普遍低于2%的瓶颈。研究结论表明,通过卤素离子(Cl⁻)掺杂在ZnSe晶格中形成局域软化区,首次实现单一量子点内激子蓝光与自陷激子黄光的高效共存,光致发光量子产率达83%,器件在100 cd/m²初始亮度下工作寿命(T₅₀)达2,544小时,较同类材料提升超10倍。单组分白光QLED最大外量子效率15%(平均10.5%),亮度26,726 cd/m²,为当前sc-WQLED最高值。
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