研究透视:负电容技术-可兼得低漏电/高导通-铁电材料 | Science
今日新材料
2025-07-12 01:09
文章摘要
本文研究了基于负电容技术的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)性能优化问题。传统肖特基栅极虽然能最大化感应电荷量,但存在高漏电流问题,而常规介电层虽能降低漏电流却会牺牲导通电流。加州伯克利分校的研究团队创新性地采用HfO₂-ZrO₂(HZO)双层铁电材料作为栅极电介质,通过其负电容效应,首次实现了导通电流提升30%的同时漏电流降低超过一个数量级的突破。这项研究突破了传统肖特基GaN晶体管的性能限制,为二维电子气晶体管性能提升开辟了新途径。
本站注明稿件来源为其他媒体的文/图等稿件均为转载稿,本站转载出于非商业性的教育和科研之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题,请作者速来电或来函联系。