集美大学许望颖 AELM：水溶液法超薄二维氧化物薄膜晶体管

集美大学许望颖等研究团队开发了一种通过水溶液制备的二维（2.7 nm）C轴取向的结晶In-S-O氧化物半导体沟道材料，并基于Si/SiO2基底制造了高性能的二维In-S-O晶体管。该晶体管表现出高迁移率（22.15 cm²/V·s）、高开关电流比（107）和良好的偏压稳定性。研究指出，这些优异的性能得益于高度c轴取向的晶体结构、精心设计的In-S-O沟道材料和原子级平滑的表面。此外，研究还展示了基于全水溶液工艺的准二维 In-S-O/ZrO2超低功耗晶体管器件，展示了低成本水溶液法合成高性能二维金属氧化物半导体的潜力。