北航王聪、赵巍胜、史可文AM：新型非共线反铁磁结构中反常霍尔效应的发现

本文背景为反铁磁材料因其鲁棒性和超快动力学特性，在自旋电子学及下一代磁存储器中具有应用潜力，但传统理论认为其净磁化强度近乎为零，难以产生反常霍尔效应（AHE），而某些特殊非共线反铁磁结构可打破这一限制。研究目的是探索反钙钛矿化合物Mn3GaN中一种称为M-1的四方反铁磁相是否也存在AHE，以拓展对反铁磁自旋输运行为的理解，并为新型磁存储器研发提供材料基础。结论表明，北航研究团队在Mn3GaN外延薄膜中成功获得了M-1四方反铁磁相，并首次在该相中观测到明显的AHE，霍尔电导高达180 S cm-1，进一步证明该效应主要源于(001)面内的四方反铁磁结构，且具有晶向各向异性，与第一性原理计算相符，为自旋电子学发展提供了新的理论指导和材料基础。