Advanced Electronic Materials

SCI期刊
Advanced Electronic Materials
中文名称:
先进电子材料
期刊缩写:
Adv. Electron. Mater.
影响因子:
5.3
ISSN:
print: 2199-160X
研究领域:
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGYMATERIALS SCIE-MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
h-index:
33
自引率:
3.20%
Gold OA文章占比:
47.14%
原创研究文献占比:
93.59%
SCI收录类型:
Science Citation Index Expanded (SCIE) || Scopus (CiteScore)
期刊介绍英文:
Advanced Electronic Materials is an interdisciplinary forum for peer-reviewed, high-quality, high-impact research in the fields of materials science, physics, and engineering of electronic and magnetic materials. It includes research on physics and physical properties of electronic and magnetic materials, spintronics, electronics, device physics and engineering, micro- and nano-electromechanical systems, and organic electronics, in addition to fundamental research.
期刊介绍中文:
《先进电子材料》(Advanced Electronic Materials)是一个跨学科的学术平台,旨在发表材料科学、物理学以及电子和磁性材料工程学领域的同行评审、高质量、具有高影响力的研究成果。该期刊不仅涵盖基础科学研究,还包含了电子和磁性材料的物理学与物理性质、自旋电子学、电子学、设备物理学与工程学、微米和纳米机电系统(MEMS/NEMS)以及有机电子学等领域的研究,为这些领域的科学家和工程师提供了一个发表和交流最新发现的场所。
CiteScore:
CiteScoreSJRSNIPCiteScore排名
11.01.6891.154
学科
排名
百分位
大类:Materials Science
小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials
36 / 284
87%
发文信息
中科院SCI期刊分区
大类 小类 TOP期刊 综述期刊
2区 材料科学
2区 物理:应用 PHYSICS, APPLIED
3区 材料科学:综合 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
3区 纳米科技 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
WOS期刊分区
学科分类
Q2MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
Q2NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Q1PHYSICS, APPLIED
历年影响因子
2015年0.0000
2016年4.1930
2017年5.4660
2018年6.3120
2019年6.5930
2020年7.2950
2021年7.6330
2022年6.2000
2023年5.3000
历年发表
2012年0
2014年1
2015年235
2016年303
2017年311
2018年359
2019年459
2020年438
2021年531
2022年433
投稿信息
出版语言:
English
出版国家(地区):
GERMANY
出版商:
Wiley-VCH Verlag
编辑部地址:
111 RIVER ST, HOBOKEN, USA, NJ, 07030-5774

Advanced Electronic Materials - 最新文献

Effect of Inhomogeneous Temperature in Chip-Scale Infrared Thermal Sources: A Revisited Blackbody Radiation Formula with Experimental Validation

Pub Date : 2024-11-19 DOI: 10.1002/aelm.202400674 Shady R. Labib, Yasser M. Sabry, Ahmed. A. Elsayed, Frédéric Marty, Tarik Bourouina, Diaa Khalil

3D Nano Hafnium-Based Ferroelectric Memory Vertical Array for High-Density and High-Reliability Logic-In-Memory Application

Pub Date : 2024-11-19 DOI: 10.1002/aelm.202400438 Jiajie Yu, Tianyu Wang, Chen Lu, Zhenhai Li, Kangli Xu, Yongkai Liu, Yifan Song, Jialin Meng, Hao Zhu, Qingqing Sun, David Wei Zhang, Lin Chen

Pseudo Molecular Doping and Ambipolarity Tuning in Si Junctionless Nanowire Transistors Using Gaseous Nitrogen Dioxide

Pub Date : 2024-11-19 DOI: 10.1002/aelm.202400338 Vaishali Vardhan, Subhajit Biswas, Sayantan Ghosh, Leonidas Tsetseris, Tandra Ghoshal, Stig Hellebust, Yordan M. Georgiev, Justin D. Holmes
查看全部
免责声明:
本页显示期刊或杂志信息,仅供参考学习,不是任何期刊杂志官网,不涉及出版事务,特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题,请联系我们,邮箱:info@booksci.cn,我们会认真核实处理。
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术官方微信