INT J CIRC THEOR APP 合肥大学 余畅舟 | 基于栅极陷波与PCB优化的SiC MOSFET电压振荡抑制研究

本文针对SiC MOSFET在高速开关过程中由寄生参数引起的电压振荡问题，提出了一种基于栅极陷波器与功率回路PCB优化的双通道振荡抑制策略。背景是SiC MOSFET在高频高功率应用中，其快速开关特性易与寄生参数耦合，导致电压过冲、振荡和EMI等问题。研究目的是设计一种既能有效抑制振荡，又能尽量保持快速开关性能的方法。通过构建含寄生参数的半桥模型进行机理分析，并利用帕累托前沿优化栅极RLC并联陷波器参数，同时采用多层反向电流路径的PCB布局降低功率回路杂散电感。仿真与实验结果表明，该策略能有效减小开关尖峰、抑制高频振荡并提升系统稳定性，为高性能SiC功率模块驱动设计提供了可定量优化和工程实施的解决方案。