​厦大孙世刚院士/乔羽Angew：富锂层状氧化物正极容量衰退机制

本文由厦门大学孙世刚院士和乔羽等人研究了富锂层状氧化物（LRLO）在低放电深度（DOD）循环过程中容量衰退的机制。研究发现，不完全放电导致氧化晶格氧的积累，进而引发结构不稳定性，包括过渡金属迁移、空位簇的形成和结构畸变。这些变化严重影响了电极-电解质界面的完整性，导致容量衰减加速。研究还揭示了深度放电与LRLO正极容量保持之间的关系，并首次批判性地揭示了低DOD加剧了容量衰减。该工作通过系统的图谱阐明了在不同DOD循环过程中氧化晶格氧的积累、阴离子/阳离子电荷补偿机制、过渡金属的迁移、结构演变和表面恶化之间的相互关系。