Npj Comput. Mater.: 存储器的电写磁读：有赖二维磁电耦合异质结构？
知社学术圈
2024-12-12 11:29
文章摘要
本文探讨了二维铁电In2Se3和铁磁MnI₃材料构建的In₂Se₃/MnI₃异质结的磁电耦合特性。研究通过第一性原理计算方法，分析了异质结的结构稳定性、界面接触特性及其对磁电耦合效应的影响。研究发现，In₂Se₃/MnI₃异质结具有良好的稳定性和可行性，且通过调控铁电层In2Se3的极化方向，可以实现界面磁性的调控。此外，研究还探讨了层间距离对异质结磁电耦合效应的影响，为设计下一代自旋电子学和非易失性存储器件提供了新的思路。
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