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26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) - 最新文献
Ion implanted In0.53Ga0.47As for ultrafast saturable absorber device at 1.55 μm
Pub Date : 2014-08-21 DOI: 10.1109/ICIPRM.2014.6880581 L. Fang, C. Bachelet, I. Sagnes, G. Beaudoin, J. OudarWaveguide InGaAs photodetector with schottky barrier enhancement layer on III-V CMOS photonics platform
Pub Date : 2014-08-21 DOI: 10.1109/ICIPRM.2014.6880578 Yongpeng Cheng, Y. Ikku, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, S. TakagiFabrication of submicron planar Gunn diode
Pub Date : 2014-05-11 DOI: 10.1109/ICIPRM.2014.6880542 A. Khalid, S. Thoms, D. Macintyre, I. Thayne, D. Cumming
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