90后博导领衔，电子科技大学，最新Nature!

本文针对锡（Sn²⁺）卤化物钙钛矿材料本征化学不稳定性导致器件性能衰退的问题，研究了其表面缺陷化学机制。研究背景表明，表面欠配位Sn²⁺位点是引发自发p型掺杂和氧化降解的主因。研究目的为在不影响电荷传输的前提下，实现对Sn²⁺钙钛矿表面化学态与电子结构的平衡。结论指出，韩国浦项工科大学和电子科技大学团队创新性地引入挥发性辅助配位策略，通过醋酸钾（KAc）处理对CsSnI₃薄膜进行表面重构，将不稳定的SnI₂终止表面转化为化学性质平衡、缺陷钝化的KI富集界面。该重构层有效抑制了陷阱态，制备出具有近零阈值电压（~5 V）、高开关比（>10⁸）及优异稳定性的p沟道薄膜晶体管，器件在100 °C高温下可稳定运行超过一个月。该工作为锡基钙钛矿在可靠电子器件中的应用提供了有效途径。