杭州电子科技大学AEnM: 超薄氮化铟合成新方法！

背景：III族氮化物如氮化铟在光电器件中应用广泛，但因其非层状晶体结构，传统方法难以制备高质量超薄薄膜，且现有工艺成本高、条件苛刻。研究目的：杭州电子科技大学李馨、张骐教授团队报道了一种利用液态金属表面自限生成氧化铟薄膜，再通过氮化工艺转化为超薄多晶氮化铟薄膜的新方法，并验证其在光探测与成像中的潜力。结论：该方法以液态铟为原料，通过挤压印刷、氧化、溴化处理及氨解反应，成功制备厚度约47 nm、光学带隙约1.35 eV的氮化铟纳米片。基于此构建的光电探测器在365 nm光照下光响应度达2.11 A/W，外量子效率为439%，性能媲美传统外延法。此外，该探测器在单像素成像中展现良好图像再现能力，为III族氮化物在原子厚度器件中的集成应用提供了低成本新策略。