祝贺！大连理工大学博士生研究成果登上《Science》！

本文报道了大连理工大学博士生赵圆圆在二维过渡金属硫族化合物半导体生长机理研究中的重要突破。研究背景是二维半导体作为延续摩尔定律的关键材料，但长期受限于大尺寸单晶制备难题。研究团队通过理论模拟提出创新方案，利用镧单原子修饰蓝宝石衬底表面，成功打破衬底对称性，实现二维半导体的单向成核生长。实验结果表明，该方法可普适性制备多种二维半导体单晶，材料质量和电学性能优异，其中MoS2和WSe2迁移率分别达110cm²·V⁻¹·s⁻¹和131cm²·V⁻¹·s⁻¹，为二维材料规模化应用提供了新思路。