ACS Nano | 基于衬底工程调控的非易失性同质InSe晶体管

本文针对同质二维PN结应用中掺杂稳定性差、易引入杂质散射等问题，提出通过衬底工程调控二维硒化铟（InSe）的极性。研究采用六方氮化硼（h-BN）与多层石墨烯/二氧化硅（MLG/SiO₂）衬底，在同一片InSe材料上实现p型与n型区域的可控非易失性掺杂。实验成功构建了整流比达10⁷的高性能均质PN结，在365nm激光照射下可实现整流特性的动态调控，并制备出NMOS和PMOS器件，分别对660nm和365nm光照敏感。该研究为二维材料在电子和光电器件中的应用提供了重要参考。