Adv Sci | 南京航空航天大学刘衍朋:X射线辐照对Ga掺杂的ZnO微米线光致发光增强的研究

Advanced Portfolio 2025-10-21 07:00
文章摘要
研究背景:Ga掺杂ZnO微米线因其宽带隙和激子结合能在光电器件中具有潜力,但化学气相沉积法生长的微米线存在缺陷导致光致发光性能受限。研究目的:通过X射线辐照改善微米线缺陷结构,探究其对光致发光和电致发光的增强机制。结论:中等剂量X射线辐照可消除表面氧空位并引发晶格弛豫,使光致发光增强9倍且具有长期稳定性,电致发光提升3倍以上,该方法为ZnO纳米结构在光电器件中的应用提供了可行方案。
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