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AELM | 集美大学，许望颖/蓝淑琼团队:基于水溶液沉积高性能二维 c轴取向氧化物半导体异质结晶体管

Advanced Portfolio 2025-08-22 07:00
文章摘要
背景：超薄二维宽带隙氧化物半导体在后端制程单片三维集成中作为沟道材料具有潜力，但实现高迁移率和高稳定性仍是难题。研究目的：通过构建二维c轴取向晶体氧化物半导体异质结构，突破迁移率与稳定性之间的权衡。结论：采用水溶液沉积法制备的3.9nm厚In₂O₃/InSmO异质结晶体管同时实现优异电学性能（迁移率38.6cm²V⁻¹s⁻¹，开关比10⁷）和良好偏压稳定性，性能提升归因于c轴取向晶体结构、界面准二维电子气形成及背沟道缺陷自钝化效应。
AELM | 集美大学，许望颖/蓝淑琼团队:基于水溶液沉积高性能二维 c轴取向氧化物半导体异质结晶体管
查看文献： High-Performance 2D C-Axis-Aligned Crystalline Oxide Semiconductor Heterostructure Transistors via Aqueous Solution Deposition
查看期刊： Advanced Electronic Materials
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