ACS AMI | “超越晶界”生长转角双层二硫化钼

本文介绍了电子科技大学中山学院高庆国副教授团队在ACS Applied Materials & Interfaces上发表的研究成果。背景方面，二维过渡金属硫化物（TMDCs）层间扭转角作为新兴自由度，为探索新奇量子现象提供了独特平台，但大尺寸、高质量、全扭转角范围可控的TMDCs双层结构的合成仍面临挑战。研究目的是通过创新的“超越晶界”化学气相沉积（CVD）策略，实现双层MoS2的跨晶界生长。研究结果表明，该方法成功制备出横向尺寸高达46 μm的扭转双层MoS2，覆盖了从0°到60°的全扭转角范围，并显著提升了小转角双层MoS2的生长比率。此外，研究还揭示了扭转角对MoS2声子和激子性质的显著调控作用。结论指出，该工作突破了传统CVD方法的限制，为深入研究扭转角依赖的量子现象及器件应用提供了新思路。