如何计算、调控氧空位？

本文全面介绍了氧空位的定义、形成机制及其在材料科学中的重要作用。氧空位作为氧化物材料中常见的点缺陷，通过影响晶体的电子结构、载流子浓度、催化活性和离子输运等性质，显著改变材料的性能。文章详细探讨了氧空位的形成能计算、氧化学势的调控、应变效应及电子关联校正等理论方法，并结合具体案例展示了氧空位在半导体、催化和能源材料中的实际应用。研究表明，通过精确调控氧空位的浓度和分布，可以优化材料性能，为功能材料的设计与开发提供科学依据。