构建大规模、可控和室温稳定的高定向斯格明子赛道阵列 | 进展

本文介绍了中国科学院物理研究所高鸿钧院士团队在室温铁磁体Fe3GaTe2中构建大面积、高定向斯格明子赛道阵列的研究进展。磁性斯格明子因其拓扑保护特性被认为是未来纳米级存储与逻辑器件的理想候选者。研究团队通过矢量强磁场的磁力显微术，成功构建了室温下稳定的斯格明子赛道阵列，并揭示了Dzyaloshinskii-Moriya相互作用和面内磁场的关键作用。这一成果为开发基于斯格明子的高通量信息器件提供了新的技术路径。