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本研究通过“应变调控”策略实现了小尺寸铷（Rb）阳离子的稳定嵌入，解决了宽带隙钙钛矿的相分离与电压损失难题。传统钙钛矿掺杂依赖“容忍因子”筛选阳离子尺寸，而本研究通过调控晶格应变，首次将尺寸小于容忍因子下限的Rb⁺离子稳定嵌入钙钛矿晶格A位。应变诱导的Rb⁺掺杂与氯离子的引入协同作用，促进碘、溴、氯三卤素在薄膜内均匀分布，抑制卤化物偏析。1.67 eV带隙钙钛矿器件VOC达1.30 V（达辐射极限的93.5%），为同类器件最高值，光电压损失创最低纪录。该策略适用于多种宽带隙钙钛矿体系，且工艺适配性强，可扩展至大面积制备，为高效稳定钙钛矿器件及叠层电池发展提供了理论和技术基础。