北京大学刘忠范/林立/张艳锋团队：单晶氧化锑-二维材料器件的介电辅助转移 | Nature Electronics

本文由北京大学刘忠范、林立、张艳锋团队发表在《Nature Electronics》上，介绍了一种基于单晶氧化锑（Sb₂O₃）的介电辅助转移方法，用于二维（2D）材料器件的制备。研究背景是二维材料因其高载流子迁移率和原子级薄的通道被认为是下一代电子器件的理想选择，但传统转移方法存在污染和缺陷问题。研究目的是通过外延生长单晶Sb₂O₃薄膜，实现低裂纹和褶皱密度的转移，并提升器件性能。实验结果表明，该方法在4英寸晶圆上实现了最大载流子迁移率为29,000 cm² V⁻¹ s⁻¹，并具有良好的长期稳定性。结论认为Sb₂O₃是一种有前景的2D电子器件介电材料，有望推动2D材料在下一代电子器件中的应用。