单层NiI₂中实现取向选择的自旋极化边缘态

本文介绍了中国科学院物理研究所在二维过渡金属卤化物领域的最新研究成果，特别是关于单层NiI2中实现取向选择的自旋极化边缘态的研究。研究背景基于二维体系中的边缘态在电子输运中的重要性，以及磁性拓扑绝缘体在自旋电子学和量子计算领域的潜在应用。研究目的是探索和实现稳定的自旋极化边缘态，以促进相关技术的发展。通过分子束外延技术合成单层NiI2，并利用自旋极化的扫描隧道显微镜/谱技术，研究团队首次在二维磁性半导体材料中发现了自旋极化的边缘态，并提出了一种基于原子结构取向和磁场调控自旋边缘态的方法。这一发现为研究过渡金属二卤化物在二维极限下的多铁现象和新奇量子物态提供了理想平台。