IF=33.7!哈工大(深圳)/复旦,Nature Electronics!
顶刊收割机
2024-09-23 08:30
文章摘要
本文介绍了哈尔滨工业大学(深圳)和复旦大学等团队在Nature Electronics期刊上发表的研究成果,探讨了镁铌氧石(MgNb2O6)作为二维电子器件中高介电常数栅介电材料的应用。研究通过缓冲控制的外延生长工艺,成功合成了原子级薄的MgNb2O6单晶,显示出宽带隙、高介电常数和大击穿电压等优异性能。这些特性使得MgNb2O6成为未来低功耗晶体管和超缩放集成电路的潜在候选者,为高性能二维电子器件的设计与制造提供了新的思路。
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