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2018 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) - 最新文献
Study on Threshold Voltage Hysteresis in GaN-Based Vertical Trench MOSFETs
Pub Date : 2018-06-01 DOI: 10.1109/IMFEDK.2018.8581937 S. Murata, M. Sasada, J. Asubar, H. Tokuda, K. Ueno, M. Edo, M. KuzuharaDevelopment of Corundum-Structured Gallium Oxide Power Devices by MIST EPITAXY®
Pub Date : 2018-06-01 DOI: 10.1109/IMFEDK.2018.8581954 T. ShinoheHf Oxide Film Sputtering Condition Dependence of Ti/HfOx/Pt Resistive Random Access Memory
Pub Date : 2018-06-01 DOI: 10.1109/IMFEDK.2018.8581974 °A. Azuma, R. Nakajima, H. Yoshida, T. Shimizu, T. Ito, S. Shingubara
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