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1997 Symposium on VLSI Technology - 最新文献
Salicides for 0.10 /spl mu/m gate lengths: a comparative study of one-step RTP Ti with Mo doping, Ti with pre-amorphization and Co process
Pub Date : 1997-06-10 DOI: 10.1109/VLSIT.1997.623716 Kittl, Qi-Zhong Hong, Chih-Ping Chao, Ih-Chin Chen, Ning Yu, O'Brien, HanrattyAdvanced Gate-stack Architecture For Low-voltage Dual-workfunction CMOS Technologies With Shallow Trench Isolation
Pub Date : 1997-06-10 DOI: 10.1109/VLSIT.1997.623700 Schwalke, Kerber, Koller, Ludwig, SeidlThe 300mm Technology Current Status And Future Prospect
Pub Date : 1997-06-10 DOI: 10.1109/VLSIT.1997.623667 Komiya
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