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1995 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers - 最新文献
Impact of the reduction of the gate to drain capacitance on low voltage operated CMOS devices
Pub Date : 1995-06-06 DOI: 10.1109/VLSIT.1995.520862 K. Yamashita, H. Nakaoka, K. Kurimoto, H. Umimoto, S. OdanakaA new SSS-OSELO technology for 0.15-/spl mu/m low-defect isolation
Pub Date : 1995-06-06 DOI: 10.1109/VLSIT.1995.520885 Y. Sudoh, T. Kaga, J. Yugami, T. KurePerformance of MOCVD tantalum nitride diffusion barrier for copper metallization
Pub Date : 1995-06-06 DOI: 10.1109/VLSIT.1995.520844 S.C. Sun, M. Tsai, C. Tsai, H. Chiu
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