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2013 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM) - 最新文献
A SiGe bipolar 6 bit 20 GS/s Nyquist-rate flash ADC without time interleaving
Pub Date : 2013-09-01 DOI: 10.1109/BCTM.2013.6798145 Philipp Ritter, Stephane Le Tual, B. Allard, M. MollerComparative study of HBT ageing in a complementary SiGe:C BiCMOS technology
Pub Date : 2013-09-01 DOI: 10.1109/BCTM.2013.6798167 G. Fischer, J. Molina, B. TillackA 92 mW, 20 dB gain, broadband lumped SiGe amplifier with bandwidth exceeding 67 GHz
Pub Date : 2013-09-01 DOI: 10.1109/BCTM.2013.6798155 Z. Xuan, R. Ding, T. Baehr‐Jones, M. Hochberg
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