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International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2003. SISPAD 2003. - 最新文献
Modeling gate leakage in InAs/AlSb HEMTs
Pub Date : 2003-09-29 DOI: 10.1109/SISPAD.2003.1233695 M. Ancona, J. B. Boos, N. Papanicolaou, W. Chang, B. R. Bennett, D. ParkTheory and design of field-effect carbon nanotube transistors
Pub Date : 2003-09-29 DOI: 10.1109/SISPAD.2003.1233663 G. Pennington, N. GoldsmanModeling the effect of source/drain sidewall spacer process on boron ultra shallow junctions
Pub Date : 2003-09-29 DOI: 10.1109/SISPAD.2003.1233661 S. Chakravarthi, P. Kohli, P. Chidambaram, H. Bu, A. Jain, B. Hornung, C. Machala
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