Solid-state Electronics

SCI期刊
Solid-state Electronics
中文名称:
固态电子
期刊缩写:
Solid-State Electron.
影响因子:
1.4
ISSN:
print: 0038-1101
研究领域:
物理-工程:电子与电气
创刊年份:
1960年
h-index:
87
自引率:
5.90%
Gold OA文章占比:
18.40%
原创研究文献占比:
99.61%
SCI收录类型:
Science Citation Index Expanded (SCIE) || Scopus (CiteScore)
期刊介绍英文:
It is the aim of this journal to bring together in one publication outstanding papers reporting new and original work in the following areas: (1) applications of solid-state physics and technology to electronics and optoelectronics, including theory and device design; (2) optical, electrical, morphological characterization techniques and parameter extraction of devices; (3) fabrication of semiconductor devices, and also device-related materials growth, measurement and evaluation; (4) the physics and modeling of submicron and nanoscale microelectronic and optoelectronic devices, including processing, measurement, and performance evaluation; (5) applications of numerical methods to the modeling and simulation of solid-state devices and processes; and (6) nanoscale electronic and optoelectronic devices, photovoltaics, sensors, and MEMS based on semiconductor and alternative electronic materials; (7) synthesis and electrooptical properties of materials for novel devices.
CiteScore:
CiteScoreSJRSNIPCiteScore排名
3.00.3480.655
学科
排名
百分位
大类:Engineering
小类:Electrical and Electronic Engineering
419 / 797
47%
大类:Physics and Astronomy
小类:Condensed Matter Physics
245 / 434
43%
大类:Materials Science
小类:Materials Chemistry
182 / 317
42%
大类:Materials Science
小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials
169 / 284
40%
发文信息
中科院SCI期刊分区
2025年3月20日发布
大类 小类 TOP期刊 综述期刊
4区 物理与天体物理
4区 工程:电子与电气 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
4区 物理:应用 PHYSICS, APPLIED
4区 物理:凝聚态物理 PHYSICS, CONDENSED MATTER
2023年12月发布
大类 小类 TOP期刊 综述期刊
4区 物理与天体物理
4区 工程:电子与电气 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
4区 物理:应用 PHYSICS, APPLIED
4区 物理:凝聚态物理 PHYSICS, CONDENSED MATTER
WOS期刊分区
学科分类
Q3ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Q4PHYSICS, APPLIED
Q4PHYSICS, CONDENSED MATTER
历年影响因子
2015年1.3450
2016年1.5800
2017年1.6660
2018年1.4920
2019年1.4370
2020年1.9010
2021年1.9160
2022年1.7000
2023年1.4000
2024年1.4000
历年发表
2012年261
2013年314
2014年200
2015年271
2016年245
2017年225
2018年175
2019年182
2020年179
2021年206
2022年212
投稿信息
出版周期:
Monthly
出版语言:
English
出版国家(地区):
UNITED STATES
接受率:
100%
审稿时长:
3 months
出版商:
Elsevier Ltd
编辑部地址:
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB

Solid-state Electronics - 最新文献

Small signal PD SOI MOSFET model: considering impact ionization and self-heating effects

Pub Date : 2025-07-29 DOI: 10.1016/j.sse.2025.109200 Narendra Pratap Singh , Shashank Banchhor , Ashutosh Yadav , Ashwaini Goswami , Avinash Singh , Rohit Ranjan , Sudeb Dasgupta , Anand Bulusu

Spin-on dopant technology for cost-effective source/drain formation in silicon MOSFETs

Pub Date : 2025-07-26 DOI: 10.1016/j.sse.2025.109197 E Kyoung Kim , Areum Han , Seok Ki Lee, Byeong Seon Kim, Moon Hee Kang

Toward full relaxation of sSOI substrates for PFET device fabrication

Pub Date : 2025-07-25 DOI: 10.1016/j.sse.2025.109196 N-P. Tran, F. Milesi, V-H. Le, L-D. Mohgouk Zouknak, P. Dezest, Ph. Rodriguez, L. Brunet, B. Duriez, M-C. Cyrille, C. Fenouillet-Beranger
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