查看最新文献
订阅
分享
662发文信息
历年影响因子
历年发表
投稿信息
1997 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 35th Annual - 最新文献
Impact of boron penetration on gate oxide reliability and device lifetime in p/sup +/-poly PMOSFETs
Pub Date : 1997-04-08 DOI: 10.1109/RELPHY.1997.584275 B. Kim, I. Liu, H. Luan, M. Gardner, J. Fulford, D. KwongCorrelations between initial via resistance and reliability performance
Pub Date : 1997-04-08 DOI: 10.1109/RELPHY.1997.584233 C. Graas, H. A. Le, T.A. RosiA new technique to measure an oxide trap density in a hot carrier stressed n-MOSFET
Pub Date : 1997-04-08 DOI: 10.1109/RELPHY.1997.584276 Tahui Wang, L. Chiang, T. Chang, N. Zous, K. Y. Shen, C. Huang
免责声明：
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
京公网安备 11010802042870号
