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1997 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 35th Annual - 最新文献
Impact of boron penetration on gate oxide reliability and device lifetime in p/sup +/-poly PMOSFETs
Pub Date : 1997-04-08 DOI: 10.1109/RELPHY.1997.584275 B. Kim, I. Liu, H. Luan, M. Gardner, J. Fulford, D. KwongCorrelations between initial via resistance and reliability performance
Pub Date : 1997-04-08 DOI: 10.1109/RELPHY.1997.584233 C. Graas, H. A. Le, T.A. RosiA new technique to measure an oxide trap density in a hot carrier stressed n-MOSFET
Pub Date : 1997-04-08 DOI: 10.1109/RELPHY.1997.584276 Tahui Wang, L. Chiang, T. Chang, N. Zous, K. Y. Shen, C. Huang
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