中科大校友一作！五院院士领衔，马普所最新Nature！
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2024-08-18 08:30
文章摘要
本文由马克斯·普朗克微结构物理研究所的Yuliang Chen和Stuart S. P. Parkin院士团队领衔，提出了一种通过扭曲二维反铁磁材料CrSBr的双层结构来构建全反铁磁性隧道结的新策略。实验结果显示，这种结构在零场条件下实现了超过700%的非易失性隧道磁阻（TMR）比率，将磁信息存储技术推向了原子级别。这一发现不仅展示了反铁磁材料在高密度和超快信息存储领域的潜力，还揭示了扭曲角度对TMR的显著影响，为未来设计高性能自旋电子器件提供了新思路。
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