研究透视:北京大学杨玉超/上海微系统所宋志棠,芯片-相变忆阻器 | Science
今日新材料
2026-07-03 11:29
文章摘要
背景:高保真度的物理世界几何建模需要在流形上实现实时、密集且可微的变形场,而现有神经动力系统(NDS)虽能胜任这些任务,但仍面临数百毫秒量级的延迟问题。研究目的:为了突破延迟瓶颈,该研究提出了一种基于相变忆阻器的硬件-算法协同设计方案,利用相变忆阻器精确可控的电导漂移及其多级存内计算能力,旨在实现亚10毫秒的低延迟NDS硬件。结论:研究人员制造了一款40纳米NDS芯片,在10-7误差容限下,单次迭代NDS计算延迟达到2.12毫秒,速度比最先进的NDS硬件提升3.82倍至36.27倍,功耗降低11.75倍至24.73倍。与图形处理器A100相比,端到端NDS延迟性能提升50.38倍至478.18倍。该芯片成功应用于具有挑战性的表面重建任务,验证了相变忆阻器在加速复杂三维建模方面的巨大潜力。
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