重磅！1 nm单壁MoS₂，登顶Science！

本研究针对传统方法难以制备亚2纳米单壁TMD纳米管的难题，通过在BN纳米管内腔限域反应，成功合成了直径接近1 nm的单壁MoS₂纳米管。背景上，过渡金属二硫族化物纳米管因兼具半导体特性和天然圆柱结构，是构建纳米尺度晶体管通道的理想材料，但传统气相或模板合成只能得到直径较大、多壁或结构不受控的产物。研究目的是实现一维半导体的原子结构控制，制备出超细、手性可控的单壁MoS₂纳米管。结论表明，BN内腔提供了空间约束和范德华稳定作用，使高度弯曲的MoS₂管得以形成；统计显示超细纳米管显著偏好扶手椅构型；低损EELS证实其光学带隙随直径减小而单调收窄。该限域策略为层状材料超细纳米管制备提供了通用路径，并为原子级锐利的环栅晶体管通道奠定了基础。