四川大学Advanced Science：硒吩π桥策略，构建窄带隙、高平面性的平衡双极性OMIECs

本文针对有机电化学晶体管（OECT）中单组分双极性有机混合离子-电子导体（OMIECs）存在的p型和n型传输性能不平衡问题，提出了一种分子设计策略。研究背景指出，双极性OMIECs能简化互补逻辑电路的工艺并提升集成度，但当前材料存在传输性能失衡。研究目的为通过引入硒吩π桥，改善聚合物的能级、平面性和堆积，从而获得平衡的双极性传输。结论表明，四川大学团队将硒吩π桥与二酮吡咯并吡咯（DPP）共聚，合成了聚合物P(gTDPPSe)。该材料相比传统噻吩π桥，具有更低的LUMO能级、更窄的带隙（1.43 eV）和更紧密的π-π堆积（3.89 Å），实现了平衡的双极性性能：垂直OECT器件在p型和n型模式下分别获得192.9 mS和117.6 mS的峰值跨导，p型工作模式电流高达57.3 mA（为双极性材料最高值）。基于该材料的反相器增益达163 V/V。研究证明，硒吩π桥通过能级优化、构象锁定和紧密堆积，能有效平衡双极性传输，为高性能OMIECs设计提供了有效路径。